飞行时间二次离子质谱仪

Hiden TOF-qSIMS飞行时间二次离子质谱仪设计用于多种材料的表面分析和深度剖析应用，包括聚合物，药物，超导体，半导体，合金，光学和功能涂层以及电介质，检测限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 其中包含了四极杆质谱和飞机飞行时光质谱。

四极杆qSIMS最主要使用夹杂着物的深度分享一下和薄层浅析，低入射业务能力，高入射电压，溅射和浅析不断实现，是一般的Dynamic SIMS 动态的SIMS。

飞机飛行日子重新阳化合物质谱TOF-SIMS施用飞机飛行日子质谱，的質量数位置宽，的質量判别率高，且精确测量速度快（瞬时得以全谱）。阳化合物枪仅所需单次脉冲造成的造成的溅射，即刻得以全谱，对的接触面可以说无伤害帮助。因脉冲造成的造成的经济模式深入阐述，且瞬时电流小，故造成的重新阳化合物比重相对于少，机灵度相对动态数据SIMS弱，但显像和的接触面深入阐述力强，是基本特征的Stactic SIMS 静态式的SIMS。

TOF-qSIMS飞行时间二次离子质谱仪综合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的优点，可以分析所有的导体、半导体、绝缘材料；对硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。对于材料/产品表面成分及分布，表面添加组分、杂质组分、表面多层结构/镀膜成分、表面异物残留（污染物、颗粒物、腐蚀物等）、表面痕量掺杂、表面改性、表面缺陷（划痕、凸起）等有很好的表征能力。

一架SIMS另外提拱四极杆质谱和飞行器准确时间质谱：

外部SIMS  Static SIMS

动态图片SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等种铝离子枪

原辅料 3D成相进行分析

判断限远低于ppm

SNMS 铝离子源，分批碱性离子谱

分次化合物质谱成相小软件下载，空态分次化合物质谱图库相册，分次化合物质谱后治理 小软件下载

技术参数：
质量数范围：300，510或1000amu
分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。
检测器：离子计数检测器，正、负离子检测
检测限：1:10E7
质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）
主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV
          B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）
空间分辨率：A：100～150um
           B: 50nm
取样深度：2个单分子层（静态）
         不受限制（动态）


主要特点：
1、高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下
3、光栅控制，增强深度分析能力
4、所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输
5、差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至1000amu
6、灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器
7、Penning规和互锁装置可提供过压保护
8、通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制